年代电气：当时量产产品的技能仍是根据平面栅技能的开展和晋级已达到当时商场干流水平

  每经AI快讯，有投入资金的人在出资者互动渠道发问：贵司碳化硅SiC沟槽栅MOSFET要害的沟槽结构技能、沟槽刻蚀技能和沟槽栅氧技能的研究进展怎么？对未来新式沟槽技能开展的新趋势进行展望。 以株洲中车年代半导体有限公司为代表，开发了周期性栅氧电场屏蔽技能，在三维方向形成对栅氧化层直接与直接的屏蔽[106]，完成了3.0 mcm2的比导通电阻、1 400 V的阻断电压芯片样品的制备，未来该产品远景展望一下。

  年代电气（688187.SH）12月4日在出资者互动渠道表明，咱们当时量产产品的技能仍是根据平面栅技能的开展和晋级，已达到当时商场干流水平。

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